řada: SiSHA10DN MOSFET SISHA10DN-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-4897
- Výrobní číslo:
- SISHA10DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
36 984,00 Kč
(bez DPH)
44 751,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 12,328 Kč | 36 984,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4897
- Výrobní číslo:
- SISHA10DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | SiSHA10DN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 39W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.93mm | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada SiSHA10DN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 39W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.93mm | ||
Šířka 3.3mm | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Související odkazy
- řada: SiSHA10DN MOSFET SISHA10DN-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SISA10DN-T1-GE3 N-kanálový 30 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiSHA12ADN MOSFET SiSHA12ADN-T1-GE3 N-kanálový 25 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiSHA14DN MOSFET SiSHA14DN-T1-GE3 N-kanálový 20 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiSS60DN MOSFET SISS60DN-T1-GE3 N-kanálový 181.8 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SISA04DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5300DN-T1-GE3 N-kanálový 198 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SIS468DN-T1-GE3 N-kanálový 30 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení