řada: NTMTS0D6N04CL MOSFET NTMTS0D6N04CLTXG N-kanálový 554.5 A 40 V onsemi, DFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 186-1352
- Výrobní číslo:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
202,05 Kč
(bez DPH)
244,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 16. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 101,025 Kč | 202,05 Kč |
| 20 - 198 | 87,19 Kč | 174,38 Kč |
| 200 - 998 | 75,58 Kč | 151,16 Kč |
| 1000 - 1998 | 66,445 Kč | 132,89 Kč |
| 2000 + | 60,27 Kč | 120,54 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-1352
- Výrobní číslo:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 554.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | DFN | |
| Řada | NTMTS0D6N04CL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 660μΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245.4W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 126nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.15mm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Šířka | 8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 554.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení DFN | ||
Řada NTMTS0D6N04CL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 660μΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245.4W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 126nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.15mm | ||
Délka 8.1mm | ||
Šířka 8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nevyhovuje
Malý půdorys (8x8 mm) pro kompaktní design
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Tato zařízení jsou bez obsahu olova, bez obsahu halogenů/BFR
Typické aplikace
Nástroje pro napájení, akumulátory napájené
UAV/Drones, manipulace s materiálem
BMS/Storage, automatizace v domácnostech
Související odkazy
- řada: NTMTS0D6N04CL MOSFET N-kanálový 554.5 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTMFSC0D9N04CL N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTMFS5C430NLT1G N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 337 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMTS001N06CL MOSFET N-kanálový 398.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 477 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení