řada: NTMTS001N06CL MOSFET NTMTS001N06CLTXG N-kanálový 398.2 A 60 V onsemi, DFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 186-1322
- Výrobní číslo:
- NTMTS001N06CLTXG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
185,00 Kč
(bez DPH)
223,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 638 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 92,50 Kč | 185,00 Kč |
| 20 - 198 | 79,78 Kč | 159,56 Kč |
| 200 - 998 | 69,035 Kč | 138,07 Kč |
| 1000 - 1998 | 60,76 Kč | 121,52 Kč |
| 2000 + | 55,33 Kč | 110,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-1322
- Výrobní číslo:
- NTMTS001N06CLTXG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 398.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | DFN | |
| Řada | NTMTS001N06CL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.05mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 165nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.15mm | |
| Šířka | 8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 398.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení DFN | ||
Řada NTMTS001N06CL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.05mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 165nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.15mm | ||
Šířka 8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nevyhovuje
Malý půdorys (8x8 mm) pro kompaktní design
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Power 88 Package, Industry Standard
Tato zařízení jsou bez obsahu olova, bez obsahu halogenů/BFR
Související odkazy
- řada: NTMTS001N06CL MOSFET N-kanálový 398.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTMFSC0D9N04CL N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTMFS5C430NLT1G N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMTS0D6N04CL MOSFET N-kanálový 554.5 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 337 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 477 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení