AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 186-1285
- Výrobní číslo:
- NVHL110N65S3F
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 186-1285
- Výrobní číslo:
- NVHL110N65S3F
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.82mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.82mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nevyhovuje
SUPERFET III MOSFET je zcela nová řada vysokonapěťových tranzistorů Super-Junction (SJ) MOSFET společnosti ON Semiconductor, která využívá technologii vyvážení náboje pro zajištění výjimečných vlastností v rámci nízkého odporu při zapnutí a nižšího náboje hradla. Tato moderní technologie je přizpůsobená pro minimalizaci ztrát vedením, zajištění vynikající spínacího výkonu a odolnost vůči extrémnímu poměru dv/dt. Proto je SUPERFET III MOSFET velmi vhodný pro různé napájecí systémy pro miniaturizaci a vyšší účinnost. Optimalizovaný výkon funkce obnovení zpětného chodu u tělové diody SUPERFET III FRFET může odstranit další komponenty a zvýšit spolehlivost systému.
700 V při TJ = 150 °C.
Mimořádně nízký poplatek za bránu (Typ. QG = 58 nC)
Nízká efektivní výstupní kapacitance (Typ. COSS(eff.) = 553 pF)
Možnost PPAP
Typ. RDS(on) = 93 mΩ
Vyšší spolehlivost systému při provozu při nízkých teplotách
Nižší ztráty při spínání
Možnost PPAP
Aplikace
Měnič HV DC/DC
Koncové produkty
Palubní nabíječka
Měnič DC/DC
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET NVHL110N65S3F Typ N-kanálový 30 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVHL040N65S3F Typ N-kanálový 65 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVHL027N65S3F Typ N-kanálový 75 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET Typ N-kanálový 75 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET Typ N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET Typ N-kanálový 70 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET Typ N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET Typ N-kanálový 46 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení