MPN

AEC-Q101, řada: NVMFS6H824N MOSFET N-kanálový 103 A 80 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 185-8155
Výrobní číslo:: NVMFS6H824NT1G
Výrobce:: onsemi

AEC-Q101, řada: NVMFS6H824N MOSFET N-kanálový 103 A 80 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1500 jednotky/-ek, v kotouči po 1500 ks)*

28 009,50 Kč

(bez DPH)

33 891,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 1 500 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
1500 +	18,673 Kč	28 009,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 185-8155
Výrobní číslo:: NVMFS6H824NT1G
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	103A
	Maximální napětí na zdroji Vds	80V
	Typ balení	DFN
	Řada	NVMFS6H824N
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	5
	Maximální odpor zdroje Rds	4.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	38nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	115W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Šířka	6.1mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.05mm
	Délka	5.1mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 103A
	Maximální napětí na zdroji Vds 80V
	Typ balení DFN
	Řada NVMFS6H824N
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 5
	Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 115W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Šířka 6.1mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.05mm
	Délka 5.1mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet NVMFS6H824NT1G

Nevyhovuje

Země původu (Country of Origin):: MY

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.

Malý půdorys (5 x 6 mm)

Nízká hodnota RDS(on)

Nízká hodnota QG a kapacita

NVMFS6H818NWF - možnost smáčitelného přehnutí

Možnost PPAP

Kompaktní provedení

Minimalizuje ztráty vedením

Minimalizace ztrát budiče

Lepší optická kontrola

Způsobilost pro automobilový průmysl

Aplikace

Spínané napájecí zdroje

Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-můstky atd.)

Systémy 48 V

Koncové produkty

Řízení motoru

Spínač zátěže

Měnič DC/DC

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.