AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 33.2 A 60 V, PowerDI5060, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 182-6944
- Výrobní číslo:
- DMTH6016LPD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
26 485,00 Kč
(bez DPH)
32 047,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 10,594 Kč | 26 485,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 182-6944
- Výrobní číslo:
- DMTH6016LPD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PowerDI5060 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 28mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 37.5W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Šířka | 4.95mm | |
| Délka | 5.85mm | |
| Výška | 1.05mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PowerDI5060 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 28mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 37.5W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Šířka 4.95mm | ||
Délka 5.85mm | ||
Výška 1.05mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tento MOSFET je navržen tak, aby minimalizoval odpor na stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající přepínací výkon, takže se jedná o vysoce efektivní aplikace řízení spotřeby.
Dimenzovaný na +175 °C - ideální pro vysokou okolní teplotu
Prostředí
Vysoká účinnost převodu
Nízká vstupní kapacita
Vysoká spínací rychlost
Zcela bez kabelů
Bez obsahu halogenů a antimonu "Zelené" zařízení.
Systémy řízení motoru
Elektronika pro řízení karoserie
Měniče DC/DC
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMTH6016LPD-13 N-kanálový 33.2 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 22 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 150 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 170 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 69.2 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 11 A 150 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMTH43M8LPSQ-13 N-kanálový 22 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMTH32M5LPSQ-13 N-kanálový 170 A 30 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení