AEC-Q101 MOSFET SQJ488EP-T1_GE3 N-kanálový 42 A 100 V, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 180-8020
- Výrobní číslo:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
246,61 Kč
(bez DPH)
298,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 2 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 24,661 Kč | 246,61 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-8020
- Výrobní číslo:
- SQJ488EP-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.021Ω | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Šířka | 6.25mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Délka | 5.25mm | |
| Výška | 1.14mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.021Ω | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Šířka 6.25mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Délka 5.25mm | ||
Výška 1.14mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay SQJ457EP je automobilový N-kanál 175°C maximální teplota spoje MOSFET s odvodem na zdroj (VdS) napětí 100V. Napětí mezi hradlem a zdrojem (VGS) je 20 V. Je s Power PAK SO-8L balíček. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,021 ohmů při 10 VGS a 0,025 8ohmů při 4,5VGS. Maximální proud vypouštění 42A.
Příkop FET napájení MOSFET
Certifikát podle normy AEC-Q101
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET SQJ488EP-T1_GE3 N-kanálový 42 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- AEC-Q101 PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerPAK, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 MOSFET SQS180ELNW-T1_GE3 N-kanálový 141 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 PowerPAK 1212–8 W., počet kolíků: 8 kolíkový
