MOSFET SI7898DP-T1-E3 N-kanálový 4.8 A 150 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay

Skladové číslo RS:: 180-7862
Výrobní číslo:: SI7898DP-T1-E3
Výrobce:: Vishay

MOSFET SI7898DP-T1-E3 N-kanálový 4.8 A 150 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

65,01 Kč

(bez DPH)

78,66 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 590 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
5 +	13,002 Kč	65,01 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7862
Výrobní číslo:: SI7898DP-T1-E3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.8A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Typ balení	PowerPAK SO-8
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.085Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	21nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	5W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	IEC 61249-2-21
	Šířka	5.26mm
	Výška	1.12mm
	Délka	6.25mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.8A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Typ balení PowerPAK SO-8
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.085Ω
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 21nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 5W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení IEC 61249-2-21
	Šířka 5.26mm
	Výška 1.12mm
	Délka 6.25mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdroj napětí 150V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 85mms na napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 5 W a trvalý vypouštěcí proud 4,8A. Má minimální a maximální napájecí napětí 6V resp. 10V. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) volná složka

• Nová nízká tepelná odolnost PowerPAK balíček s malou velikostí a nízkým 1,07mm profilu

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• optimalizováno PWM

• TrenchFET výkonový MOSFET pro rychlé spínání

Aplikace

• DC / DC napájení primární boční spínače

• průmyslové motorové pohony

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• testováno RG