MOSFET SI7315DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 8.9 A 150 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- Skladové číslo RS:
- 180-7728
- Výrobní číslo:
- SI7315DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
266,51 Kč
(bez DPH)
322,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 26,651 Kč | 266,51 Kč |
| 100 - 240 | 25,318 Kč | 253,18 Kč |
| 250 - 490 | 22,65 Kč | 226,50 Kč |
| 500 - 990 | 18,649 Kč | 186,49 Kč |
| 1000 + | 15,981 Kč | 159,81 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 180-7728
- Výrobní číslo:
- SI7315DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.315Ω | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Minimální provozní teplota | 50°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.12mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 3.61mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.315Ω | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Minimální provozní teplota 50°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.12mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 3.61mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vishay SI7315DN je duální P-kanál MOSFET s odvodem na zdroj (VdS) napětí -150V.brána na zdroj napětí (VGS) je 30V. Má napájecí sadu PAK 1212-8. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,315 ohmů při 10 VGS a 0,35 ohmů při 7,5VGS. Maximální proud vypouštění -8.9A.
Příkop FET napájení MOSFET
Sada Power PAK s nízkou tepelnou odolností a malou velikostí
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 8.9 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SIS443DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 35 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SIS412DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 12 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SI7232DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI7113DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SI7415DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.7 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- Vishay IGBT SI7121ADN-T1-GE3 Typ P-kanálový počet kolíků: 8 kolíkový Povrch
- řada: TrenchFET MOSFET SIS407ADN-T1-GE3 Typ P-kanálový 18 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay