MPN

řada: SI7216DN MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 40 V, PowerPack, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení Duální

Skladové číslo RS:: 180-7312
Výrobní číslo:: SI7216DN-T1-E3
Výrobce:: Vishay

řada: SI7216DN MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 40 V, PowerPack, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení Duální

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

46 866,00 Kč

(bez DPH)

56 709,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 20. května 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	15,622 Kč	46 866,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7312
Výrobní číslo:: SI7216DN-T1-E3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	SI7216DN
	Typ balení	PowerPack
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	25mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	12.5nC
	Minimální provozní teplota	-50°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd	20.8W
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.12mm
	Délka	3.4mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada SI7216DN
	Typ balení PowerPack
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 25mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.5nC
	Minimální provozní teplota -50°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální ztrátový výkon Pd 20.8W
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.12mm
	Délka 3.4mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

Vishay SI7216DN je duální N-kanálový MOSFET s odvodem na zdroj (VdS) napětí 40V.brána na zdroj napětí (VGS) je 20V. Má napájecí sadu PAK 1212-8. Nabízí odtok od zdrojového odporu (RDS.) 0,032 ohmů při 10 VGS a 0,039 ohmů při 4,5VGS. Maximální proud vypouštění 6A.

Příkop FET napájení MOSFET

Nízká tepelná odolnost Power PAK balení s malou velikostí a nízkým profilem 1.07 mm

Testováno 100 % RG a UIS

Vyhovuje směrnici RoHS 2002/95/ES

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.