MPN

řada: TrenchFET MOSFET SI5515CDC-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 4 A 20 V, TSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-7304
Výrobní číslo:: SI5515CDC-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI5515CDC-T1-GE3 Typ P, Typ N-kanálový 4 A 20 V, TSOP, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

22 764,00 Kč

(bez DPH)

27 543,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 05. července 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	7,588 Kč	22 764,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-7304
Výrobní číslo:: SI5515CDC-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Typ balení	TSOP
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.156
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	8V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	7.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	3.1W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Duální
	Šířka	1.65mm
	Výška	1mm
	Normy/schválení	No
	Délka	3.05mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Typ balení TSOP
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.156
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.5nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 3.1W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Duální
	Šířka 1.65mm
	Výška 1mm
	Normy/schválení No
	Délka 3.05mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž dual channel (oba P a N-kanály) MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 20V a odvodnění-zdroj odpor 36mohm na bráně-zdroj napětí 4.5V. Má maximální jmenovitý výkon 3.1W. MOSFET má trvalý proud vypouštění 4A. Má aplikaci v zátěžových přepínačích pro přenosná zařízení. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• testováno RG

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.