řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.6 A 20 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

9 618,00 Kč

(bez DPH)

11 637,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 21 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +3,206 Kč9 618,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
178-7590
Výrobní číslo:
FDN338P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

115mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.4nC

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

2.92mm

Normy/schválení

No

Šířka

1.4 mm

Výška

0.94mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy