AEC-Q101 MOSFET NVD5C454NT4G N-kanálový 83 A 40 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-4640
- Výrobní číslo:
- NVD5C454NT4G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*
348,27 Kč
(bez DPH)
421,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 34,827 Kč | 348,27 Kč |
| 100 - 240 | 30,035 Kč | 300,35 Kč |
| 250 + | 26,059 Kč | 260,59 Kč |
*orientační cena
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (na civce po 2500)
59 990,00 Kč
(bez DPH)
72 587,90 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 178-4640
- Výrobní číslo:
- NVD5C454NT4G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 83A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Výška | 2.25mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 83A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Výška 2.25mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- VN
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v pouzdru DPAK, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. Je vhodný pro automobilové aplikace.
Charakteristiky
Nízký odpor při zapnutí
Pro vysoké hodnoty proudu
Možnost PPAP
Výhody
Minimální ztráty vedením
Robustní zátěžový výkon
Ochrana proti napěťovému přetěžování
Aplikace
Ovladač low-side
Ovladač High Side
Budič motoru
Koncové produkty
Automobilové pohonné soustavy
Automobilové motory HVAC
Tlaková čerpadla ABS
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 83 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 88 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVD5C454NLT4G N-kanálový 88 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení