AEC-Q101 Výkonový MOSFET NVMFD5C478NT1G N-kanálový 27 A 40 V, DFN, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 178-4488
- Výrobní číslo:
- NVMFD5C478NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
328,02 Kč
(bez DPH)
396,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 32,802 Kč | 328,02 Kč |
| 100 - 240 | 28,282 Kč | 282,82 Kč |
| 250 - 490 | 24,552 Kč | 245,52 Kč |
| 500 - 990 | 21,588 Kč | 215,88 Kč |
| 1000 + | 19,612 Kč | 196,12 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-4488
- Výrobní číslo:
- NVMFD5C478NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 27A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.84V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 23W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.05mm | |
| Šířka | 6.1mm | |
| Délka | 5.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 27A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.84V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 23W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.05mm | ||
Šířka 6.1mm | ||
Délka 5.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici provedení se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Vhodné pro automobilové aplikace.
Charakteristiky
Nízký odpor při zapnutí
Pro vysoké hodnoty proudu
Možnost PPAP
NVMFD5C478NWF – produkt se smáčitelnými boky
Výhody
Minimální ztráty vedením
Robustní zátěžový výkon
Vhodné pro automobilové aplikace
Lepší optická kontrola
Aplikace
Elektromagnetický ovladač
Budič Low Side / High Side
Koncové produkty
Automobilové řídicí jednotky motorů
Protiblokovací brzdové systémy
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 27 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 25 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 74 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 68 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 127 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET N-kanálový 70 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET NVMFD6H852NLT1G N-kanálový 25 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET NVMFD6H852NLWFT1G N-kanálový 25 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální