řada: IRF620 Výkonový MOSFET IRF620PBF N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-0854
- Výrobní číslo:
- IRF620PBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
880,30 Kč
(bez DPH)
1 065,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 900 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,606 Kč | 880,30 Kč |
| 100 - 200 | 14,968 Kč | 748,40 Kč |
| 250 + | 13,21 Kč | 660,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-0854
- Výrobní číslo:
- IRF620PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | IRF620 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 50W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.01mm | |
| Délka | 10.41mm | |
| Normy/schválení | RoHS 2002/95/EC | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada IRF620 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 50W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.01mm | ||
Délka 10.41mm | ||
Normy/schválení RoHS 2002/95/EC | ||
Šířka 4.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady IRF620, zdrojové napětí 200 V, ztrátový výkon 50 W – IRF620PBF
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor určený pro výkonovou elektroniku s průchozím otvorem. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro spínací a zesilovací úkoly, kde je vyžadována robustní schopnost odvodňovacího zdroje napětí. Součást je prezentována v konvenčním pouzdru s průchozím otvorem, který usnadňuje montáž v sestavách se smíšenou technologií.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 200 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Odpor při zapnutí 0,8 Ω snižuje ztráty při vedení v obvodech s nízkým proudem
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5.2 A podporuje mírné napájecí zátěže
• Kapacita rozptylu výkonu 50 W umožňuje zvládat trvalé tepelné namáhání
• Typické náboje hradla 14 nC podporuje efektivní řízení hradla při Vgs20 V
• Režim vylepšení N-kanálu zjednodušuje použití v běžných spínacích topologiích
• Odpor při zapnutí 0,8 Ω snižuje ztráty při vedení v obvodech s nízkým proudem
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5.2 A podporuje mírné napájecí zátěže
• Kapacita rozptylu výkonu 50 W umožňuje zvládat trvalé tepelné namáhání
• Typické náboje hradla 14 nC podporuje efektivní řízení hradla při Vgs20 V
• Režim vylepšení N-kanálu zjednodušuje použití v běžných spínacích topologiích
Aplikace
• Vhodné pro napájecí zdroje s vysokonapěťovými lištami
• Ideální pro řízení motorů v malých průmyslových pohonech
• Používá se s audio zesilovači vyžadujícími vysokonapěťové tranzistory
• Lze použít pro měniče DC/DC v stolních zařízeních
• Vhodné pro hobbyisté a prototypové sestavy s průchozím otvorem
• Ideální pro řízení motorů v malých průmyslových pohonech
• Používá se s audio zesilovači vyžadujícími vysokonapěťové tranzistory
• Lze použít pro měniče DC/DC v stolních zařízeních
• Vhodné pro hobbyisté a prototypové sestavy s průchozím otvorem
Jaké napětí hradla by mělo být použito pro spolehlivé spínání?
Zařízení přijímá až 20 V mezi hradlem a zdrojem
použijte vhodná napětí pohonu hradla pod tímto maximálním hodnotou pro efektivní přepínání.
Jak tepelná výkonnost ovlivňuje volbu montáže?
S maximálním rozptylem 50 W se doporučuje chladič nebo odpovídající měděná plocha PCB, aby se udržely teploty spoje v bezpečných mezích během nepřetržitého provozu.
Jaké jsou očekávané spínací charakteristiky?
Typický náboj hradla 14 nC na specifikovaném ovladači hradla indikuje mírné požadavky na energii ovladače hradla a ovlivňuje rychlost spínání a výběr ovladače.
Jaké extrémní podmínky prostředí dokáže tolerovat?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v široké škále okolních a vysokoteplotních prostředí.
Související odkazy
- řada: IRF620 Výkonový MOSFET IRF620PBF N-kanálový 5.2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Výkonový MOSFET IRL620PBF N-kanálový 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB Vishay Jednoduchý
- MOSFET N-kanálový 10.7 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRF840HPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RX3L07BGNC16 N-kanálový 10.7 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 87 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: LogicFET MOSFET N-kanálový 140 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 33 A 250 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení