řada: IRFI730G Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A 400 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 178-0848
Výrobní číslo:: IRFI730GPBF
Výrobce:: Vishay

řada: IRFI730G Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 3.7 A 400 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 600,55 Kč

(bez DPH)

1 936,65 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

50 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	32,011 Kč	1 600,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 178-0848
Výrobní číslo:: IRFI730GPBF
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds	400V
	Řada	IRFI730G
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	1Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	38nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.6V
	Maximální ztrátový výkon Pd	35W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	4.8mm
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	10.3mm
	Výška	9.8mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds 400V
	Řada IRFI730G
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 1Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.6V
	Maximální ztrátový výkon Pd 35W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 4.8mm
	Normy/schválení RoHS
	Délka 10.3mm
	Výška 9.8mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Výkonový MOSFET Vishay řady IRFI730G, napětí zdroje vypouštění 400 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 3,7 A – IRFI730GPBF

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení používané k řízení proudu v převodech výkonu a spínacích obvodech. Jedná se o tranzistor N-kanálu s režimem zesílení navržený pro montáž do průchozího otvoru v pouzdrech TO-220 a vhodný pro aplikace vyžadující vysokou toleranci napětí odvodu ke zdroji a standardní uspořádání pohonu hradla s jedním napájením.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální napětí odvodnění ke zdroji 400 V podporuje vysokonapěťové spínání • nepřetržitý vypouštěcí proud 3,7 A umožňuje zvládnutí mírné zátěže • Maximální ztrátový výkon 35 W umožňuje trvalé tepelné zatížení • Maximální hodnota Rds(on) 1 Ω pomáhá předvídat ztráty při vedení • Typické náboje hradla 38 nC pro spolehlivý výkon spínání • Jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V zajišťuje širokou toleranci pohonu

Aplikace

• Vhodné pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních • Ideální pro hradlové stupně motorového pohonu v automatizačních systémech • Používá se pro výměnu vysokonapěťových relé v ovládacích panelech • Lze použít pro tlumicí obvody na straně vedení nebo svorky • Vhodné pro stolní napájecí zdroje a laboratorní napájecí moduly

Jaké montážní úvahy ovlivňují tepelné řízení?

Formát TO-220 s průchozím otvorem umožňuje přímé připojení chladiče k jazýčku balení pro lepší přenos tepla a nižší teplotu spoje.

Jak se zařízení chová při extrémních okolních teplotách?

Tranzistor pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokou tepelnou proměnlivostí při zachování elektrických vlastností.

Jaký je typický vliv spínacího náboje na pohonové obvody?

Nabíjení hradla 38 nC definuje energii požadovanou od ovladače a ovlivňuje požadavky na spínací rychlost a proud ovladače během přechodů.

Existují omezení na pohon hradla, aby se zabránilo poškození?

Maximální napětí zdroje hradla je 20 V, které nesmí být překročeno, aby se zabránilo napětí oxidu hradla a potenciálnímu selhání zařízení.