řada: IRF9Z14 Výkonový MOSFET IRF9Z14PBF Typ P-kanálový -6.7 A -60 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-0838
- Výrobní číslo:
- IRF9Z14PBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 167,80 Kč
(bez DPH)
1 413,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 23,356 Kč | 1 167,80 Kč |
| 100 - 200 | 19,854 Kč | 992,70 Kč |
| 250 + | 17,517 Kč | 875,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-0838
- Výrobní číslo:
- IRF9Z14PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -6.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -60V | |
| Řada | IRF9Z14 | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 500mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 43W | |
| Přímé napětí Vf | -5.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 9.01mm | |
| Délka | 10.41mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -6.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -60V | ||
Řada IRF9Z14 | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 500mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 43W | ||
Přímé napětí Vf -5.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 9.01mm | ||
Délka 10.41mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady IRF9Z14, zdrojové napětí 60 V, ztrátový výkon 43 W – IRF9Z14PBF
Tento výkonový MOSFET je zařízení s P-kanálem navržené pro spínací a zesilovací úkoly v elektronice se středním výkonem. Pracuje s polaritami záporného odtoku a zdroje a hradla a je dodáván v pouzdru TO-220AB s průchozím otvorem, který je vhodný pro desky vyžadující robustní montáž a tepelné rozhraní. Součást je v souladu s RoHS a je určena pro aplikace, které vyžadují definované řízení hradla a spolehlivé řízení proudu v omezeném tepelném prostředí.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité napětí drain-source -60 V umožňující konstrukce P-kanálů s vyšším napětím
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud -6,7 A podporuje značné zátěžové proudy
• Maximální ztrátový výkon 43 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 12 nC snižuje spínací energii a přechodové ztráty
• Nízká hodnota RDS(on) 500 mΩ minimalizuje ztráty při vedení v provozních podmínkách
• Tolerantní provozní rozsah -55 °C až 175 °C pro systémy s vysokou teplotou
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud -6,7 A podporuje značné zátěžové proudy
• Maximální ztrátový výkon 43 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 12 nC snižuje spínací energii a přechodové ztráty
• Nízká hodnota RDS(on) 500 mΩ minimalizuje ztráty při vedení v provozních podmínkách
• Tolerantní provozní rozsah -55 °C až 175 °C pro systémy s vysokou teplotou
Aplikace
• Vhodné pro funkce přepínání výkonového stupně audio zesilovače
• Ideální pro diskrétní spínání na vysoké straně v napájecích zdrojích
• Používá se s uspořádáním průchozích otvorů vyžadujícím pevné upevnění chladiče
• Lze použít pro obvody budiče motoru vyžadující konfiguraci P-kanálu
• Vhodné pro výměnu v konstrukcích vyžadujících zařízení s P-kanálem 60 V
• Ideální pro diskrétní spínání na vysoké straně v napájecích zdrojích
• Používá se s uspořádáním průchozích otvorů vyžadujícím pevné upevnění chladiče
• Lze použít pro obvody budiče motoru vyžadující konfiguraci P-kanálu
• Vhodné pro výměnu v konstrukcích vyžadujících zařízení s P-kanálem 60 V
Jaké je pouzdro a styl montáže pro integraci desky?
Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-220AB se třemi kolíky pro montáž do průchozího otvoru, což usnadňuje snadné pájení a mechanickou stabilitu.
Jak omezení napětí hradla ovlivňuje řídicí obvod?
Maximální jmenovité napětí hradla-zdroje je 20 V, takže obvody budiče musí udržovat oscilace hradla v rámci tohoto limitu, aby se zabránilo poškození.
Jaké tepelné parametry je třeba při návrhu desek plošných spojů dodržovat?
S maximálním rozptylem 43 W by konstruktéři měli zajistit chladič nebo dostatečnou plochu mědi a zvážit tepelné cesty pro udržení teploty spoje.
Jak typ kanálu a režim ovlivňují spínací chování?
Jako zařízení pro vylepšení kanálu P vyžaduje kladnější napětí hradla vzhledem ke zdroji pro vypnutí a záporné napětí vzhledem ke zdroji pro zapnutí, což je vhodné pro uspořádání na vysoké straně.
Související odkazy
- řada: IRF9Z14 Výkonový MOSFET IRF9Z14PBF Typ P-kanálový -6.7 A -60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET SUP90P06-09L-E3 Typ P-kanálový 90 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay
- řada: QFET P-kanálový QFET MOSFET FQP3P50 Typ P-kanálový 2.7 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový
- Výkonový MOSFET IRF9Z24PBF Typ P-kanálový 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- Výkonový MOSFET IRF9Z30PBF Typ P-kanálový 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB Vishay 1 Jednoduchý
- MOSFET IRL540PBF N-kanálový 28 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay
- MOSFET IRF840HPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET IRFZ44PBF N-kanálový 50 A 60 V Vishay, JEDEC TO-220AB