řada: TN2540 MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 400 V Microchip, TO-243, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 177-9854P
Výrobní číslo:: TN2540N8-G
Výrobce:: Microchip

řada: TN2540 MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 400 V Microchip, TO-243, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

313,00 Kč

(bez DPH)

378,70 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 480 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
10 +	31,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 177-9854P
Výrobní číslo:: TN2540N8-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	400V
	Typ balení	TO-243
	Řada	TN2540
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	12Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.6W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.8V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	2.6mm
	Normy/schválení	No
	Délka	4.6mm
	Výška	1.6mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 260mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 400V
	Typ balení TO-243
	Řada TN2540
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 12Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.8V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 2.6mm
	Normy/schválení No
	Délka 4.6mm
	Výška 1.6mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Tento tranzistor s nízkým prahovým napětím a režimem obohacení (spínací) využívá vertikální strukturu DMOS a křemíkové hradlo vyrobené prověřeným procesem. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení netrpí tepelným lavinovým jevem a sekundárními průrazy vyvolanými teplotou, což je charakteristické pro všechny struktury MOS. Vertikální tranzistory DMOS FET jsou ideálně přizpůsobené pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací s požadavkem na velmi nízké prahové napětí, vysoké průrazné napětí, vysokou vstupní impedanci, nízkou vstupní kapacitu a vysoké rychlosti spínání.

Nízké prahové napětí (max. 2,0 V)

Vysoká vstupní impedance

Nízká vstupní kapacita (max. 125 pF)

Vysoké rychlosti spínání

Nízký odpor při zapnutí

Netrpí sekundárními průrazy

Nízký vstupní a výstupní svodový proud

řada: TN2540 MOSFET Typ N-kanálový 260 mA 400 V Microchip, TO-243, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS