řada: 2N7000 MOSFET Typ N-kanálový 200 mA 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*

1 020,60 Kč

(bez DPH)

1 234,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 150 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
100 +10,206 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
177-9760P
Výrobní číslo:
2N7000-G
Výrobce:
Microchip
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Microchip

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

200mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TO-92

Řada

2N7000

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

5.3Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30V

Přímé napětí Vf

0.85V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

5.08mm

Šířka

4.06mm

Výška

5.33mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TW

Technologie Microchip MOS


Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s napětím zdroje vypouštění 60 V a maximálním zdrojovým napětím hradla 30 V. Odpor zdroje vypouštění je 5 ohmů při zdrojovém napětí hradla 10 V. Má plynulý vypouštěcí proud 200 mA a maximální rozptyl výkonu 1 W. Minimální a maximální budicí napětí pro tento MOSFET je 4,5 V a 10 V. MOSFET je režim vylepšení (normálně vypnutý) MOSFET, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Soutěž

• Vynikající tepelná stabilita

• Bez sekundárního členění

• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení

• Integrovaná dioda pro odvádění vody

• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání

• Požadavek jednotky s nízkým výkonem

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.

Aplikace


• Zesilovače

• Konvertory

• Ovladače: Relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.

• Ovládání motorů

• Elektrické obvody napájení

• Spínače

Osvědčení


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.