řada: 2N6661 MOSFET N-kanálový 350 mA 90 V Microchip, TO-39, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 177-9750P
- Výrobní číslo:
- 2N6661
- Výrobce:
- Microchip
Mezisoučet 1 jednotka (dodává se v sáčku)*
353,70 Kč
(bez DPH)
427,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 55 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 353,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 177-9750P
- Výrobní číslo:
- 2N6661
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 350mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 90V | |
| Typ balení | TO-39 | |
| Řada | 2N6661 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 6.25W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.398mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 350mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 90V | ||
Typ balení TO-39 | ||
Řada 2N6661 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 6.25W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.398mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie Microchip MOS
Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s výstupním napětím 90 V a maximálním zdrojovým napětím brány 20 V. Odpor zdroje vypouštění je 4 Ω při napětí zdroje signálu zadní výklopné stěny 10 V. Má stálý vypouštěcí proud 350 mA a maximální rozptyl výkonu 6,25 W. Minimální a maximální budicí napětí pro tento MOSFET je 5 V a 10 V. MOSFET je režim vylepšení (normálně vypnutý) MOSFET, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.
Charakteristiky a výhody
• Soutěž
• Vynikající tepelná stabilita
• Bez sekundárního členění
• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení
• Integrovaná dioda pro odvádění vody
• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání
• Požadavek jednotky s nízkým výkonem
• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.
Aplikace
• Zesilovače
• Konvertory
• Ovladače: Relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.
• Ovládání motorů
• Elektrické obvody napájení
• Spínače
Osvědčení
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007