řada: VN10K MOSFET Typ N-kanálový 310 mA 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 177-9706
Výrobní číslo:: VN10KN3-G
Výrobce:: Microchip

řada: VN10K MOSFET Typ N-kanálový 310 mA 60 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*

10 255,00 Kč

(bez DPH)

12 409,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. dubna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	Za Sáček*
1000 +	10,255 Kč	10 255,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 177-9706
Výrobní číslo:: VN10KN3-G
Výrobce:: Microchip

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Microchip
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	310mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-92
	Řada	VN10K
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	7.5Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30 V
	Přímé napětí Vf	0.8V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	5.33mm
	Šířka	4.06 mm
	Délka	5.08mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Microchip
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 310mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-92
	Řada VN10K
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 7.5Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V
	Přímé napětí Vf 0.8V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 5.33mm
	Šířka 4.06 mm
	Délka 5.08mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Technologie Microchip MOS

Technologie Microchip pro montáž do otvoru, N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odporem zdroje napájení 5 ohmů při napětí zdroje hradla 10 V. Má zdrojové napětí vypouštění 60 V a maximální zdrojové napětí hradla 30 V. Má stálý vypouštěcí proud 310 mA a maximální rozptyl výkonu 1 W. Minimální a maximální jízdní napětí tohoto tranzistoru je 5 V a 10 V. MOSFET je rozšiřující režim (normálně vypnutý) tranzistor, který využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený proces výroby silikonových hradel. Díky této kombinaci vzniklo zařízení, které vykazuje schopnost zvládat napájení jako bipolární tranzistory, a s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem, které jsou vlastní zařízením MOS. Toto zařízení je pro všechny technicky náročné konstrukce MOS bez teplotního rozběhu a tepelně vyvolané druhotné poruchy. Tento vertikální DMOS FET byl optimalizován pro nižší ztráty spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Soutěž

• Vynikající tepelná stabilita

• Bez sekundárního členění

• Vysoká vstupní impedance a vysoké zesílení

• Integrovaná dioda pro odvádění vody

• Nízká rychlost otáčení a rychlé přepínání

• Požadavek jednotky s nízkým výkonem

• Provozní teplota se pohybuje mezi -55 °C a 150 °C.

Aplikace

• Zesilovače

• Konvertory

• Ovladače (relé, kladiva, elektromagnetické ventily, lampy, paměti, displeje, bipolární tranzistory atd.)

• Ovládací prvky motoru

• Elektrické obvody napájení

• Spínače

Osvědčení

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC