řada: NTMFS6H801N MOSFET NTMFS6H801NT1G N-kanálový 157 A 80 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 172-8986
- Výrobní číslo:
- NTMFS6H801NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
356,17 Kč
(bez DPH)
430,965 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 275 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 71,234 Kč | 356,17 Kč |
| 50 - 95 | 61,404 Kč | 307,02 Kč |
| 100 - 495 | 53,302 Kč | 266,51 Kč |
| 500 - 995 | 46,782 Kč | 233,91 Kč |
| 1000 + | 42,582 Kč | 212,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 172-8986
- Výrobní číslo:
- NTMFS6H801NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 157A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | NTMFS6H801N | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 166W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 64nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Šířka | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 157A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada NTMFS6H801N | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 166W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 64nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Šířka 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Komerční výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry.
Malý půdorys (5 x 6 mm)
Kompaktní provedení
Nízká hodnota RDS(on)
Minimalizuje ztráty vedením
Nízká hodnota QG a kapacita
Minimalizace ztrát budiče
Aplikace
Spínané napájecí zdroje
Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-můstky atd.)
Systémy 48 V
Řízení motoru
Spínač zátěže
Měnič DC/DC
Synchronní usměrňovač
Související odkazy
- řada: NTMFS6H801N MOSFET N-kanálový 157 A 80 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 DFN, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 337 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMFS MOSFET N-kanálový 136 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVMTS1D2N08H N-kanálový 337 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení