AEC-Q101, řada: NVMFD5C672NL MOSFET NVMFD5C672NLT1G N-kanálový 49 A 60 V, DFN, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 172-3355
- Výrobní číslo:
- NVMFD5C672NLT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
1 090,25 Kč
(bez DPH)
1 319,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 43,61 Kč | 1 090,25 Kč |
| 100 - 225 | 37,584 Kč | 939,60 Kč |
| 250 + | 32,594 Kč | 814,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 172-3355
- Výrobní číslo:
- NVMFD5C672NLT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 49A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NVMFD5C672NL | |
| Typ balení | DFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Délka | 6.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.1mm | |
| Výška | 1.05mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 49A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NVMFD5C672NL | ||
Typ balení DFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Délka 6.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.1mm | ||
Výška 1.05mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.
Malý půdorys (5 x 6 mm)
Kompaktní provedení
Nízká hodnota rDS(on)
Minimalizace ztrát vedením
Nízká hodnota QG a kapacita
Minimalizace ztrát budiče
NVMFD5C446NLWF − možnost se smáčitelnými boky
Lepší optická kontrola
Možnost PPAP
Aplikace
Elektromagnetický ovladač
Budič Low Side / High Side
Automobilové řídicí jednotky motorů
Protiblokovací brzdové systémy
Související odkazy
- AEC-Q101 DFN, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 DFN, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 337 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 477 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 316 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 433 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NVMFSC0D9N04C N-kanálový 313 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení