řada: R6024ENJ MOSFET R6024ENJTL N-kanálový 24 A 600 V ROHM, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 172-0479
- Výrobní číslo:
- R6024ENJTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
445,84 Kč
(bez DPH)
539,465 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 89,168 Kč | 445,84 Kč |
| 125 - 245 | 71,778 Kč | 358,89 Kč |
| 250 - 495 | 69,95 Kč | 349,75 Kč |
| 500 - 745 | 68,222 Kč | 341,11 Kč |
| 750 + | 66,492 Kč | 332,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 172-0479
- Výrobní číslo:
- R6024ENJTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 24A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | R6024ENJ | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 320mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.2mm | |
| Výška | 4.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 24A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada R6024ENJ | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 320mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.2mm | ||
Výška 4.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET jsou díky použitým mikroprocesorovým technologiím navrženy jako zařízení s nízkým odporem při zapnutí a jsou použitelné v široké škále aplikací. Tato široká řada zahrnuje kompaktní typy, typy s vysokým výkonem a komplexní typy pro splnění různých požadavků trhu.
Nízký odpor při zapnutí
Vysoká rychlost spínání.
Garantované napětí řídicí elektroda/zdroj (VGSS) ±20 V.
Budicí obvody mohou být jednoduché.
Snadný paralelní provoz.
Povrchová vrstva bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: R6024ENJ MOSFET N-kanálový 24 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SCT4062KW7TL N-kanálový 24 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 24 A 12 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SCT MOSFET SCT4062KWATL N-kanálový 24 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SCT4062KW7HRTL N-kanálový 24 A 12 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 75 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 17 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 31 A 750 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
