řada: NTTFS4C02N MOSFET NTTFS4C02NTAG N-kanálový 29 A 30 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 171-8393
- Výrobní číslo:
- NTTFS4C02NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 171-8393
- Výrobní číslo:
- NTTFS4C02NTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 29A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | NTTFS4C02N | |
| Typ balení | WDFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.2W | |
| Přímé napětí Vf | 800mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.15mm | |
| Výška | 750μm | |
| Šířka | 3.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 29A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada NTTFS4C02N | ||
Typ balení WDFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.2W | ||
Přímé napětí Vf 800mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.15mm | ||
Výška 750μm | ||
Šířka 3.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET 30 V 170 A 2,25 miliohmu, jednoduchý N−kanál μ8FL
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Optimalizovaný náboj řídicí elektrody pro minimalizaci ztrát při spínání
Tato zařízení jsou bez obsahu olova, bez obsahu halogenů/BFR
Aplikace
Měniče DC/DC
Výkonový spínač zátěže
Správa baterie notebooku
Související odkazy
- řada: NTTFS4C02N MOSFET N-kanálový 29 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTTFS6H850N MOSFET N-kanálový 68 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 35 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NVTFS MOSFET N-kanálový 28.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 16 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 122 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET N-kanálový 14 A 250 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 80 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení