MOSFET SSM3K335R N-kanálový 6 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Toshiba Vylepšení 1 Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 171-2542
- Výrobní číslo:
- SSM3K335R
- Výrobce:
- Toshiba
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 150 kusů a ušetřete 22%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
233,65 Kč
(bez DPH)
282,70 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 100 | 4,673 Kč | 233,65 Kč | - |
| 150 - 450 | 3,641 Kč | 182,05 Kč | 22% |
| 500 - 950 | 2,999 Kč | 149,95 Kč | 35% |
| 1000 + | 2,722 Kč | 136,10 Kč | 41% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 171-2542
- Výrobní číslo:
- SSM3K335R
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 56mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 700μm | |
| Šířka | 1.8mm | |
| Délka | 2.9mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 56mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 700μm | ||
Šířka 1.8mm | ||
Délka 2.9mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Budicí napětí hradla 4,5 V
Nízký odpor kolektoru při zapnutí
RDS(ON) = 38 mΩ (max.) (při VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (max.) (při VGS = 4,5 V)
Související odkazy
- MOSFET SSM3K333R N-kanálový 6 A 30 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- AEC-Q101 MOSFET SSM3K361R N-kanálový 3.5 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Toshiba Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET N-kanálový 2 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET SSM3K361R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Toshiba Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET SSM3K339R N-kanálový 2 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 400 mA 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET T2N7002BK N-kanálový 400 mA 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SSM3J334R SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
