AEC-Q101 MOSFET SSM6N7002KFU Typ N-kanálový 300 mA 60 V, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Toshiba Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 171-2523
- Výrobní číslo:
- SSM6N7002KFU
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
176,10 Kč
(bez DPH)
213,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 1,761 Kč | 176,10 Kč |
| 500 - 900 | 1,539 Kč | 153,90 Kč |
| 1000 + | 1,418 Kč | 141,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 171-2523
- Výrobní číslo:
- SSM6N7002KFU
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-363 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.75Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.79V | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-363 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.75Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Přímé napětí Vf -0.79V | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Vysokorychlostní spínání
Nízký odpor kolektoru při zapnutí
RDS(ON) = 1,05 Ω (max.) (při VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (max.) (při VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (max.) (při VGS = 4,5 V)
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 300 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový Toshiba Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení Duální
- AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ P-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET DMP31D7LDWQ-7 Typ P-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET DMN61D9UDWQ-7 Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- Toshiba Tranzistor HN1A01FU-GR SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Duální