AEC-Q101 MOSFET TK100S04N1L Typ N-kanálový 100 A 40 V Toshiba, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 171-2499
- Výrobní číslo:
- TK100S04N1L
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
228,23 Kč
(bez DPH)
276,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 45,646 Kč | 228,23 Kč |
| 25 - 95 | 39,174 Kč | 195,87 Kč |
| 100 - 995 | 34,284 Kč | 171,42 Kč |
| 1000 + | 30,43 Kč | 152,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 171-2499
- Výrobní číslo:
- TK100S04N1L
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 76nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 180W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 76nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 180W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Aplikace
Automobilový průmysl
Spínací regulátory napětí
Ovladače motorů
Charakteristiky
Nízký odpor kolektoru při zapnutí: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Nízký svodový proud: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Rozšířený režim: Vth = 1,5 až 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 65 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET TK65S04N1L Typ N-kanálový 65 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET TK60S06K3L Typ N-kanálový 60 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET TK8S06K3L Typ N-kanálový 8 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 8 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení