MOSFET TJ15P04M3 Typ P-kanálový 15 A 40 V Toshiba, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 171-2473
- Výrobní číslo:
- TJ15P04M3
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
152,15 Kč
(bez DPH)
184,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- 90 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,215 Kč | 152,15 Kč |
| 50 - 90 | 13,042 Kč | 130,42 Kč |
| 100 - 990 | 11,411 Kč | 114,11 Kč |
| 1000 + | 9,905 Kč | 99,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 171-2473
- Výrobní číslo:
- TJ15P04M3
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 48mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 29W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 7.18mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 48mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 29W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 7.18mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Nízký odpor kolektoru při zapnutí: RDS(ON) = 28 mΩ (max.) (při VGS = -10 V)
Nízký svodový proud: IDSS = -10 μA (max.) (VDS = -40 V)
Rozšířený režim: Vth = -0,8 až -2,0 V (VDS = -10 V, ID = -0,1 mA)
Aplikace:
Ovladače motorů
Spínače pro řízení napájení
Související odkazy
- MOSFET Typ P-kanálový 15 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 8 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 60 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET TJ8S06M3L Typ P-kanálový 8 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET TJ60S04M3L Typ P-kanálový 60 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: U-MOSVIII-H MOSFET TK15S04N1L TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 65 A 40 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení