řada: IPD068N10N3 G MOSFET IPD068N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 90 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 5 kolíkový

Skladové číslo RS:: 171-1939
Výrobní číslo:: IPD068N10N3GATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: IPD068N10N3 G MOSFET IPD068N10N3GATMA1 Typ N-kanálový 90 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 5 kolíkový

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

185,62 Kč

(bez DPH)

224,60 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 17 490 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 90	18,562 Kč	185,62 Kč
100 - 240	14,98 Kč	149,80 Kč
250 - 490	14,218 Kč	142,18 Kč
500 - 990	13,068 Kč	130,68 Kč
1000 +	10,785 Kč	107,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 171-1939
Výrobní číslo:: IPD068N10N3GATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	IPD068N10N3 G
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	5
	Maximální odpor zdroje Rds	12.3mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	150W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	51nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Délka	6.73mm
	Výška	2.41mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada IPD068N10N3 G
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 5
	Maximální odpor zdroje Rds 12.3mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 150W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Délka 6.73mm
	Výška 2.41mm
	Automobilový standard Ne

Nelze použít

MOSFET Infineon

Infineon PG-TO-252-3 povrchový mount N-channel MOSFET je nový věkový produkt s odvodem-zdrojovým odporem 6,8 mohm na gate-source napětí 10V. MOSFET má nepřetržitý vypouštěcí proud 90A. Má maximální napětí zdroje hradla 20V a napětí zdroje vypouštění 100V. Má maximální ztrátový výkon 71W. MOSFET má minimální a maximální napájecí napětí 6V resp. 10V. Byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• snadno navrhnout produkty

• šetrné k životnímu prostředí

• vynikající brána nabíjení x RDS (na) produkt (FOM)

• vynikající spínací výkon

• Bez halogenů

• nejvyšší hustota výkonu

• zvýšená účinnost

• olovo (Pb) bez pokovování

• vyžaduje méně paralelního zapojení

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 175°C.

• nejmenší spotřeba prostoru desky

• velmi nízká QG a Qgd

• nejnižší RDS na světě (ON)

Aplikace

• zvukové zesilovače třídy D.

• izolované DC-DC měniče (telekomunikační a datové komunikační systémy

• řízení motoru pro 48V-80V systémy (domácí vozidla, elektrické nářadí, nákladní vozidla)

• o-kroužek spínače a jističe v 48V systémech

• synchronní usměrňovač

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC