MOSFET SI7121DN-T1-GE3 P-kanálový 9,6 A 30 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 170-8393
- Výrobní číslo:
- SI7121DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
27 660,00 Kč
(bez DPH)
33 480,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 6 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
---|---|---|
3000 + | 9,22 Kč | 27 666,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 170-8393
- Výrobní číslo:
- SI7121DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
---|---|---|
Značka | Vishay | |
Typ kanálu | P | |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 9,6 A | |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
Typ balení | PowerPAK 1212-8 | |
Typ montáže | Povrchová montáž | |
Počet kolíků | 8 | |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 26 mΩ | |
Režim kanálu | Vylepšení | |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
Maximální ztrátový výkon | 27,8 W | |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -25 V, +25 V | |
Počet prvků na čip | 1 | |
Šířka | 3.15mm | |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 33 nC při 10 V | |
Délka | 3.15mm | |
Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
Materiál tranzistoru | Si | |
Minimální provozní teplota | -50 °C | |
Výška | 1.07mm | |
Vybrat vše | ||
---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 9,6 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 26 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 27,8 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 3.15mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 33 nC při 10 V | ||
Délka 3.15mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Minimální provozní teplota -50 °C | ||
Výška 1.07mm | ||
Související odkazy
- MOSFET SI7121DN-T1-GE3 P-kanálový 9 PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- MOSFET SI7232DN-T1-GE3 N-kanálový 25 A 20 V, PowerPAK 1212-8
- MOSFET SI7129DN-T1-GE3 P-kanálový 11 PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- MOSFET SIS415DNT-T1-GE3 P-kanálový 22 A 20 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- MOSFET SI7615ADN-T1-GE3 P-kanálový 35 A 20 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- MOSFET SIS4608LDN-T1-GE3 N-kanálový 36 PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8
- MOSFET SIS4604LDN-T1-GE3 N-kanálový 45 PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8
- MOSFET SIS4608DN-T1-GE3 N-kanálový 35 PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8