MOSFET MDS1525URH N-kanálový 17 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 170-3036
- Výrobní číslo:
- MDS1525URH
- Výrobce:
- MagnaChip
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
19 626,00 Kč
(bez DPH)
23 748,00 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,542 Kč | 19 626,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 170-3036
- Výrobní číslo:
- MDS1525URH
- Výrobce:
- MagnaChip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | MagnaChip | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 17 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 14,9 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.7V | |
| Maximální ztrátový výkon | 5,1 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 3.9mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 13 nC při 10 V | |
| Délka | 4.9mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Výška | 1.5mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Propustné napětí diody | 1.1V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka MagnaChip | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 17 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 14,9 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.7V | ||
Maximální ztrátový výkon 5,1 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 3.9mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 13 nC při 10 V | ||
Délka 4.9mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Výška 1.5mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Propustné napětí diody 1.1V | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.
Tranzistory MOSFET, MagnaChip
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 8.7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET DMN3018SSD-13 Typ N-kanálový 8.7 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- MOSFET FCMT180N65S3 N-kanálový 17 A 650 V počet kolíků: 4 Jednoduchý
- řada: PowerTrenchMOSFET FDS8880 N-kanálový 11 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRL6342PBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRF7201TRPBF N-kanálový 7 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRL6342TRPBF N-kanálový 9 SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrench MOSFET FDS6692A Typ N-kanálový 9 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 1 Jednoduchý
