řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 68 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-8976
- Výrobní číslo:
- STW70N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 150 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
5 175,15 Kč
(bez DPH)
6 261,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 172,505 Kč | 5 175,15 Kč | - |
| 150 + | 170,372 Kč | 5 111,16 Kč | 1% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-8976
- Výrobní číslo:
- STW70N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh M2 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 450W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 980mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 20.15mm | |
| Výška | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh M2 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 450W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf 980mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 20.15mm | ||
Výška 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh M2 MOSFET STW70N60M2 N-kanálový 68 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 18 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 26 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 32 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 52 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET STW28N60M2 N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET STW33N60M2 N-kanálový 26 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení