řada: TK MOSFET TK30A06N1,S4X(S N-kanálový 30 A 60 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-7967
- Výrobní číslo:
- TK30A06N1,S4X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 487,75 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
650,35 Kč
(bez DPH)
786,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 13,007 Kč | 650,35 Kč | - |
| 250 - 950 | 11,056 Kč | 552,80 Kč | 487,75 Kč |
| 1000 + | 10,577 Kč | 528,85 Kč | 2 430,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7967
- Výrobní číslo:
- TK30A06N1,S4X(S
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.5mm | |
| Výška | 15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.5mm | ||
Výška 15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- řada: TK MOSFET TK30A06N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET N-kanálový 30 A 60 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK58A06N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK22A10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK32A12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK72A08N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK42A12N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TK MOSFET TK100A10N1 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení