řada: MDmesh MOSFET STP26NM60N Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-7500
- Výrobní číslo:
- STP26NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 549,75 Kč
(bez DPH)
5 505,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 50 jednotka(y) budou odesílané od 01. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 90,995 Kč | 4 549,75 Kč |
| 100 - 450 | 72,613 Kč | 3 630,65 Kč |
| 500 - 950 | 64,516 Kč | 3 225,80 Kč |
| 1000 - 4950 | 54,236 Kč | 2 711,80 Kč |
| 5000 + | 52,69 Kč | 2 634,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7500
- Výrobní číslo:
- STP26NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF9NM60N Typ N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení