řada: DeepGate, STripFETMOSFET STP360N4F6 N-kanálový 120 A 40 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 168-7116
- Výrobní číslo:
- STP360N4F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 168-7116
- Výrobní číslo:
- STP360N4F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 120 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 40 V | |
| Řada | DeepGate, STripFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 1,8 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4.5V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 3V | |
| Maximální ztrátový výkon | 300 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 340 nC při 10 V | |
| Výška | 15.75mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 120 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V | ||
Řada DeepGate, STripFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 1,8 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4.5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V | ||
Maximální ztrátový výkon 300 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 4.6mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Délka 10.4mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 340 nC při 10 V | ||
Výška 15.75mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: STripFETMOSFET STP200NF04 N-kanálový 120 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP35NF10 N-kanálový 40 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP80NF06 N-kanálový 80 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP14NF10 N-kanálový 15 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETMOSFET STP20NF06L N-kanálový 20 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: DeepGate TO-220, počet kolíků: 3
- řada: DeepGate TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFETMOSFET STW120NF10 N-kanálový 110 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si