řada: MDmesh K5, SuperMESH5 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 168-7019
- Výrobní číslo:
- STP13N80K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 476,20 Kč
(bez DPH)
2 996,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 06. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 + | 49,524 Kč | 2 476,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7019
- Výrobní číslo:
- STP13N80K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 450mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Výška | 15.75mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 450mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Výška 15.75mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh K5 TO-220, počet kolíků: 3
- MOSFET Typ N-kanálový 19.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 6.2 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 14 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 4.3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení