řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-6696
- Výrobní číslo:
- STP16N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
2 311,90 Kč
(bez DPH)
2 797,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 46,238 Kč | 2 311,90 Kč |
| 250 - 450 | 45,082 Kč | 2 254,10 Kč |
| 500 + | 43,833 Kč | 2 191,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-6696
- Výrobní číslo:
- STP16N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 299mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 9.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 299mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 9.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh M5 MOSFET STP16N65M5 N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 8.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STF12N65M5 N-kanálový 8.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STP42N65M5 N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení