řada: UniFET MOSFET Typ N-kanálový 15 A 500 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 800 kusech)*

35 951,20 Kč

(bez DPH)

43 500,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 14. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
800 +44,939 Kč35 951,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
166-2549
Výrobní číslo:
FDB15N50
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

15A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-263

Řada

UniFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

380mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

300W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

33nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

4.83mm

Délka

10.67mm

Šířka

11.33 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.

Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy