MPN

řada: PowerTrench, SyncFETMOSFET FDS6900AS N-kanálový 6,9 A, 8,2 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Sériové zapojení

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	6,9 A, 8,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Řada	PowerTrench, SyncFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor kolektor/zdroj	22 mΩ, 27 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	2 W
	Konfigurace tranzistoru	Sériové zapojení
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Délka	5mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	10 nC při 10 V, 11 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Počet prvků na čip	2
	Šířka	3.99mm
	Výška	1.5mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 6,9 A, 8,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Řada PowerTrench, SyncFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor kolektor/zdroj 22 mΩ, 27 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 2 W
	Konfigurace tranzistoru Sériové zapojení
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Délka 5mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 10 nC při 10 V, 11 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Počet prvků na čip 2
	Šířka 3.99mm
	Výška 1.5mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.