řada: PowerTrench MOSFET FDY3000NZ N-kanálový 600 mA 20 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 166-1809
- Výrobní číslo:
- FDY3000NZ
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 166-1809
- Výrobní číslo:
- FDY3000NZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 600 mA | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 20 V | |
| Typ balení | SC-89-6 | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 500 μm | |
| Délka | 1.6 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 700 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 625 mW | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Šířka | 1.2 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 600 mA | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 20 V | ||
Typ balení SC-89-6 | ||
Počet kolíků 6 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 500 μm | ||
Délka 1.6 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 700 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 625 mW | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Typ montáže Povrch | ||
Šířka 1.2 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET FDY3000NZ N-kanálový 600 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- řada: PowerTrench MOSFET FDY1002PZ Typ P-kanálový 830 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 830 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET FDY302NZ N-kanálový 600 mA 20 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDY300NZ N-kanálový 600 mA 20 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi Vylepšení 1
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 10 A 40 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 6 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 9.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení