řada: PowerTrenchMOSFET FDY3000NZ N-kanálový 600 mA 20 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
166-1809
Výrobní číslo:
FDY3000NZ
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

600 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SC-89-6

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

700 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

625 mW

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Délka

1.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

0,8 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Šířka

1.2mm

Počet prvků na čip

2

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Výška

0.5mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.


Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy