řada: Trench MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 860 mA 20 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 166-0612
- Výrobní číslo:
- PMGD290XN,115
- Výrobce:
- Nexperia
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
6 363,00 Kč
(bez DPH)
7 698,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 02. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,121 Kč | 6 363,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 166-0612
- Výrobní číslo:
- PMGD290XN,115
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 860mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SC-88 | |
| Řada | Trench MOSFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 410mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.72nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.2mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 860mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SC-88 | ||
Řada Trench MOSFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 410mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.72nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.2mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Duální MOSFET N-Channel, Nexperia
Tranzistory MOSFET, polovodiče NXP
Související odkazy
- řada: Trench MOSFET MOSFET PMGD290XN SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia Vylepšení
- řada: Trench MOSFET MOSFET Typ N-kanálový 870 mA 20 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: Trench MOSFET MOSFET PMGD280UN SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia Vylepšení
- AEC-Q101115 Typ N-kanálový 300 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia
- AEC-Q101115 Typ N-kanálový 320 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia
- AEC-Q101115 Typ N-kanálový 350 mA 30 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia
- AEC-Q101115 Typ P-kanálový 160 mA 50 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia
- AEC-Q101115 Typ N-kanálový 320 mA 60 V počet kolíků: 6 kolíkový Nexperia