MOSFET PSMN4R5-40BS,118 N-kanálový 100 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 165-9941
- Výrobní číslo:
- PSMN4R5-40BS,118
- Výrobce:
- Nexperia
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 165-9941
- Výrobní číslo:
- PSMN4R5-40BS,118
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 100 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 40 V | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 6,5 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 148 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 42,3 nC při 10 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 11mm | |
| Délka | 10.3mm | |
| Výška | 4.5mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 100 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 6,5 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 148 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 42,3 nC při 10 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 11mm | ||
Délka 10.3mm | ||
Výška 4.5mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
Tranzistor MOSFET N-Channel, 40 V až 55 V.
Tranzistory MOSFET, polovodiče NXP
Související odkazy
- MOSFET PSMN4R5-40BS D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET IRF9640SPBF P-kanálový 11 A 200 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQB47P06TM-AM002 P-kanálový 47 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NP82N055PUG-E2-AZ N-kanálový 82 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDB8447L N-kanálový 50 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L09ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S208ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
