řada: D Series Výkonový MOSFET SIHP8N50D-GE3 Typ N-kanálový 8.7 A 500 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
165-7113
Výrobní číslo:
SIHP8N50D-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

8.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

JEDEC TO-220AB

Řada

D Series

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.85Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Maximální ztrátový výkon Pd

156W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

30nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Šířka

4.65 mm

Délka

10.51mm

Výška

9.01mm

Automobilový standard

Ne

Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy