řada: TrenchFET Výkonový MOSFET SI1922EDH-T1-GE3 N-kanálový 1.3 A 20 V, SC-88, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
165-6930
Výrobní číslo:
SI1922EDH-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

SC-88

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

263mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-8V, +8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.6nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.25W

Maximální provozní teplota

+150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Šířka

1.35mm

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Délka

2.2mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.