řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSZ12DN20NS3GATMA1 N-kanálový 11,3 A 200 V, TSDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 165-6894
- Výrobní číslo:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 165-6894
- Výrobní číslo:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 11,3 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 200 V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Series | OptiMOS™ 3 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 125 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon | 50 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 6,5 nC při 10 V | |
| Délka | 3.4mm | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 11,3 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 200 V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Series OptiMOS™ 3 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 125 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V | ||
Maximální ztrátový výkon 50 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 6,5 nC při 10 V | ||
Délka 3.4mm | ||
Šířka 3.4mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 1.1mm | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSZ050N03MSGATMA1 N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSZ035N03MSGATMA1 N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP048N12N3GXKSA1 N-kanálový 100 A 120 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD088N06N3GBTMA1 N-kanálový 50 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD220N06L3GBTMA1 N-kanálový 30 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD036N04LGBTMA1 N-kanálový 90 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPA028N08N3GXKSA1 N-kanálový 100 A 80 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: BSZ12DN20NS3 G MOSFET BSZ12DN20NS3GATMA1 Typ N-kanálový 11.3 A 200 V Infineon počet kolíků: 8