řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 40 A 30 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-6879
Výrobní číslo:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS P MOSFET Typ P-kanálový 40 A 30 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

36 900,00 Kč

(bez DPH)

44 650,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 15. února 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	7,38 Kč	36 900,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-6879
Výrobní číslo:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	40A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	TSDSON
	Řada	OptiMOS P
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	13.4mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-1.1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	43.2nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	69W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	25V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	3.4mm
	Normy/schválení	No
	Délka	3.4mm
	Výška	1.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení TSDSON
	Řada OptiMOS P
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 13.4mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -1.1V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 43.2nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 69W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 3.4mm
	Normy/schválení No
	Délka 3.4mm
	Výška 1.1mm
	Automobilový standard Ne

Nelze použít

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS řady P, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 40 A – BSZ086P03NS3EGATMA1

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení P-kanálu navržené pro vysokoproudové spínání v kompaktních sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu teplot vhodných pro náročná elektronická prostředí a je navržen tak, aby zvládal významné vypouštěcí proudy a ztráty výkonu. Pouzdro je nízkoprofilový 8kolíkový modul TSDSON pro efektivní montáž na PCB a tepelný výkon.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí snižuje ztráty při vedení při vysokých proudích
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 40 A podporuje přepínání vysoké zátěže
• Maximální ztrátový výkon 69 W umožňuje vyšší výkon
• Typické nabíjení hradla 43.2 nC vyváží rychlost přepínání a sílu pohonu
• Tolerance hradla 25 V umožňuje robustní rozpětí hradla
• Jmenovité napětí 30 V je vhodné pro konstrukce systémů s mírným napětím

Aplikace

• Vhodné pro moduly pro převod napájení v bodě zatížení
• Ideální pro synchronní spínače snižujícího převodníku
• Používá se s obvody pro správu baterií v napájecích systémech
• Lze použít pro ovládání cesty motorového pohonu na nízké straně/napájecí cesty
• Vhodné pro telekomunikační a serverové napájecí kolejnice

Jaké tepelné extrémy dokáže během provozu odolat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C a umožňuje širokou škálu proměn okolního prostředí a rozvodů.

Kolik kolíků a jaký způsob montáže používá?

Zařízení používá rozměry 8 kolíků a je určeno pro povrchovou montáž v pouzdru TSDSON.

Jaké elektrické vlastnosti omezují ztráty při vedení?

Maximální odpor zdroje a vypouštění zařízení je 13,4 mΩ, což určuje pokles napětí v zapnutém stavu a účinnost.

Jaké faktory ovládání brány jsou relevantní pro spínací konstrukci?

Díky typickému náboji hradla 43.2 nC a maximálnímu jmenovitému napětí hradla-zdroje 25 V musí pohonové obvody zajišťovat dostatečný náboj v mezích napětí.