řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6549
- Výrobní číslo:
- STB100N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
31 870,00 Kč
(bez DPH)
38 560,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 31,87 Kč | 31 870,00 Kč |
| 2000 + | 31,476 Kč | 31 476,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6549
- Výrobní číslo:
- STB100N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 9.35mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET H7 MOSFET STB100N10F7 Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 90 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 180 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 110 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 30 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení