MPN

MOSFET ECH8663R-TL-H N-kanálový 8 A 30 V, ECH, počet kolíků: 8 dvojitý Společný drain Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Typ balení	ECH
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor kolektor/zdroj	28 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	1.3V
	Maximální ztrátový výkon	1,4 W
	Konfigurace tranzistoru	Společný drain
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +12 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Délka	2.9mm
	Počet prvků na čip	2
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	12,3 nC při 4,5 V
	Šířka	2.3mm
	Výška	0.9mm

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Typ balení ECH
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor kolektor/zdroj 28 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 1.3V
	Maximální ztrátový výkon 1,4 W
	Konfigurace tranzistoru Společný drain
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -12 V, +12 V
	Materiál tranzistoru Si
	Délka 2.9mm
	Počet prvků na čip 2
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 12,3 nC při 4,5 V
	Šířka 2.3mm
	Výška 0.9mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.