AEC-Q101 MOSFET PMV55ENEAR N-kanálový 3.1 A 60 V Nexperia, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

238,85 Kč

(bez DPH)

289,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 13. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
25 - 2259,554 Kč238,85 Kč
250 - 6005,197 Kč129,93 Kč
625 - 12255,049 Kč126,23 Kč
1250 - 24754,94 Kč123,50 Kč
2500 +4,802 Kč120,05 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-3187
Výrobní číslo:
PMV55ENEAR
Výrobce:
Nexperia
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Nexperia

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.1A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

120mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

8.36W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.7nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1mm

Normy/schválení

No

Šířka

1.4mm

Délka

3mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Tranzistory MOSFET pro automobilový průmysl, Největší nabídka výkonových tranzistorů MOSFET splňujících normu AEC-Q101 na světě, Hluboká odborná znalost požadavků automobilových systémů a vysoká technická odbornost umožňuje společnosti Nexperia nabízet výkonová polovodičová řešení pro širokou škálu použití. Ať jde o buzení jednoduchého svítidla nebo o sofistikované systému regulace výkonu v motoru, karosérii nebo podvozku, výkonové polovodičové součástky Nexperia nabízejí odpověď na nejrůznější problémy s napájením automobilových systémů.

Podle normy AEC-Q101

Odolné vůči opakovaným průrazům

Pro teplotně náročné aplikace do 175 °C

Unipolární tranzistor (FET) s rozšířeným N-kanálem 60 V v malém plastovém SMD pouzdru SOT23 (TO-236AB) s technologií Trench MOSFET

Kompatibilní s logickými úrovněmi

Velmi rychlé spínání

Technologie Trench MOSFET

Ochrana před elektrostatickými výboji (ESD)> 2 kV HBM

Certifikát podle normy AEC-Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.